Cканирующий ионный микроскоп Strata FIB 205 System фирмы «FEI Company»

Изображение установки

Основные технические характеристики и возможности установки

  • Возможность получения изображения во вторичных ионах и электронах в диапазоне увеличений Х 250-350000.
  • Пространственное разрешение до 5 нм2
  • Возможность готовить ультратонкие пробы (толщиной до 50 нм) для просвечивающего электронного микроскопа на локальных участках образца
  • Модификация и восстановление микросхем.
  • Гарантированный минимальный размер канавки травления 100нм, минимально достигаемый – 10 нм2.
  • Ионная пушка - галлиевая жидкометаллическая. Изменение размеров ионного пучка в пределах 5-500 нм с автоматической запрограммированной сменой апертур (не менее 10 ступеней).
  • Диапазон изменения тока ионного пучка: 1-10нА, плотность тока до 50А/см2 , нестабильность пучка менее 5%/час
  • Вакуум в исследовательской камере ~1,3•10-6 мбар после 24-х часовой откачки
  • Вакуум в камере ионной пушки < 4•10-7 мбар
  • Время откачки исследовательской камеры ~ 210 сек до 10-4 мбар
  • Максимальные размеры образца: диаметр 80 мм или площадь 55 мм2, высота до 25 мм, вес до 150 г. 
  • 5 степеней свободы стола-держателя (X, Y±25 мм, Z 25мм, поворот 3600, наклон -10 +450)
  • Источники для осаждения платины и ионно-стимулированного травления диэлектриков

Реквизиты центра

тел./факс: (495)638-45-46

e-mail: olga.trpva@rambler.ru

адрес: 119049, Москва, Ленинский пр-кт., д.4, комн. Б-08 - Б-014


Работы по развитию ЦКП осуществляются при финансовой поддержке государства в лице Минобрнауки России.

Уникальный идентификатор проекта RFMEFI59414X0007.


Доступ к проведению исследований на оборудовании ЦКП осуществляется на основе договора с одновременным заполнением заявки-заказа:

Типовой договор на оказание услуг

Заявка-заказ на проведение исследований