Установка магнетронного напыления Sunpla 40TM (Южная Корея)
Предназначена для напыления металлических, диэлектрических и полупроводниковых материалов как простых веществ, так и сложных соединений. Установка позволяет напылять электрооптические, многослойные градиентные покрытия с заданными толщинами каждого слоя. Шлюзовая камера оснащена системой очистки и загрузочной кассетой с держателем на три образца диаметром 4''. Камера снабжена ионной пушкой для очистки подложки, предусмотрена подача высокочастотного потенциала на подложку.
Технические характеристики:
диаметр распыляемой мишени | 2'' |
максимальное давление остаточных газов | 10-6 Торр |
максимальная температура подложки | 800 oC |
максимальный диаметр подложки | 4'' |
максимальное количество газов | 3 |
одновременная работа магнетронов | да |
вращение подложки | да |
количество магнетронов | 4 |