Установка магнетронного напыления Sunpla 40TM (Южная Корея)

Изображение установки

Предназначена для напыления металлических, диэлектрических и полупроводниковых материалов как простых веществ, так и сложных соединений. Установка позволяет напылять электрооптические, многослойные градиентные покрытия с заданными толщинами каждого слоя. Шлюзовая камера оснащена системой очистки и загрузочной кассетой с держателем на три образца диаметром 4''. Камера снабжена ионной пушкой для очистки подложки, предусмотрена подача высокочастотного потенциала на подложку.

 

 

Технические характеристики:

диаметр распыляемой мишени 2''
максимальное давление остаточных газов             10-6 Торр
максимальная температура подложки 800 oC
максимальный диаметр подложки 4''
максимальное количество газов 3
одновременная работа магнетронов да
вращение подложки да
количество магнетронов 4

Реквизиты центра

тел./факс: (495)638-45-46

e-mail: olga.trpva@rambler.ru

адрес: 119049, Москва, Ленинский пр-кт., д.4, комн. Б-08 - Б-014


Работы по развитию ЦКП осуществляются при финансовой поддержке государства в лице Минобрнауки России.

Уникальный идентификатор проекта RFMEFI59414X0007.


Доступ к проведению исследований на оборудовании ЦКП осуществляется на основе договора с одновременным заполнением заявки-заказа:

Типовой договор на оказание услуг

Заявка-заказ на проведение исследований