Комплекс оборудования для послеростовой подготовки поверхности
В комплекс оборудования для послеростовой подготовки поверхности входят:
1. Фемтосекундная система ООО «Авеста» (Россия)
Предназначена для импульсного воздействия на образцы световым излучением высокой интенсивности (1010 и более Вт/см2) с целью структурной модификации материала, возбуждения электронной подсистемы, в том числе за счет реализации режима многофотонного поглощения, а также для ассистирования процесса роста тонких пленок методом высокочастотного магнетронного распыления.
Технические характеристики:
- Длины волн излучения: 800 нм, 400 нм и 267 нм
- Частота повторения до 1 кГц
- Энергия импульса на первой гармонике >3.5 мДж
- Длительность импульса < 50 фс
2. Установка плазмохимической обработки «ТеТеМ» (Россия)
Источник плазмы предназначен для активизации газовых реакций при пониженном давлении (1...10 Па) и позволяет генерировать ионы рабочего газа плотностью 1011 см-3. Источник плазмы состоит из трех взаимосвязанных устройств: реактор, ВЧ генератор и газовая система. Газовая система состоит из двух независимых каналов для подачи в зону реакции смеси газа-носителя и рабочего газа-прекурсора. В состав каждого канала входит полный комплект газовых элементов, необходимых для регулирования, управления и контроля газового потока. Подключение дополнительного высокочастотного генератора (и согласующего устройства соответственно) к подложкодержателю, не соединенного с корпусом установки, позволяет независимо от основного источника разряда корректировать энергию ионов.