Сканирующий зондовый микроскоп MFP 3D Stand Аlone (Asylum Research)

Изображение установки

Микроскоп MFP 3DStand Аlone позволяет решать задачи в области физики, химии, материаловедения, исследования полимеров, нанолитографии, биологии и количественного анализа поверхности на наномасштабе.

Основные характеристики XY сканера:

  • Область сканирования: 90 мкм (в режиме замкнутой обратной связи);
  • Размер образцов: до 8,6х3,8 см, что позволяет использовать стандартные предметные и покровные стекла;
  • Уровень шума: не более 0,5 нм (в режиме замкнутой обратной связи) (вариация Аллана на полосе 0,1Гц – 1 кГц);
  • Нелинейность: не более 0,5% на полном скане (в режиме замкнутой обратной связи).

Основные характеристики Z сканера

  • Диапазон перемещения: 15 мкм (в режиме замкнутой обратной связи);
  • Высота образцов: до 10 мм
  • Уровень шума датчиков: не более 0,25 нм (в режиме замкнутой обратной связи) (вариация Аллана на полосе 0,1Гц – 1 кГц);
  • Нелинейность: не более 0,05% на полном скане (в режиме замкнутой обратной связи);
  • Уровень шума сканнера: не более 60 пм (вариация Аллана на полосе 0,1Гц – 1 КГц)

Основные методики измерения MFP 3DStand Аlone:

  1. Полуконтактная атомно-силовая микроскопия (Tapping-AFM)

топография (рельеф) поверхности

пространственное распределение свойств материалов (фазовый контраст) в биологических объектах, гетерофазных системах, полимерах и др.

статистический анализ поверхности

  1. Контактная атомно-силовая микроскопия (Contact-AFM)

топография (рельеф) поверхности

статистический анализ поверхности

пространственное распределение коэффициента трения

  1. Электростатическая силовая микроскопия (EFM)

пространственное распределение электрического поля и зарядов на поверхности

визуализация доменной структуры сегнетоэлектрических материалов

  1. Метод зонда Кельвина (KPFM)

пространственное распределение электростатического потенциала и зарядов на поверхности

визуализация доменной структуры сегнетоэлектрических материалов

  1. Силовая микроскопия пьезоотклика (PFM)

приложение к образцу постоянного напряжения до ±220 В

визуализация доменной структуры сегнетоэлектрических материалов

исследование кинетики (релаксации) локального переключения поляризации в сегнетоэлектрических материалах

векторная микроскопия пьезоотклика (VectorPFM) - одновременная визуализация доменной структуры: сигналы «Out-of-Plane» и «In-Plane»

DARTSS-PFM: визуализация доменной структуры на двух частотах вблизи резонанса

SS-PFM Спектроскопия пьезоотклика: снятие петель гистерезиса d33vsV, картирование образца

  1. Магнитная силовая микроскопия (MFM)

пространственное распределение магнитных сил

визуализация магнитных доменных структур

  1. Метод латеральных сил (LFM)

пространственное распределение латеральных сил

позволяет различать области с различными коэффициентами трения, а также подчеркивать особенности рельефа поверхности.

  1. Сканирующая туннельная микроскопия (STM)

топография (рельеф) поверхности проводящих образцов

туннельная спектроскопия

  1. Зондовая станция – Probe Station

позволяет осуществлять электрический контакт с образцом во время сканирования, прикладывать внешнее напряжение смещения на образец.

  1. nanoTDDB

модуль исследования временной зависимости пробоя диэлектриков в наношкале (временная шкала и шкала потенциала)

  1. «ORCA» - модуль микроскопии проводимости

картирование проводимости материалов

реализация I/V спектроскопии.

  1. PHEAT-PEEK

высокотемпературная модульная платформа для нагревания образца (от комнатной температуры до 300°C)

Реквизиты центра

тел./факс: (495)638-45-46

e-mail: olga.trpva@rambler.ru

адрес: 119049, Москва, Ленинский пр-кт., д.4, комн. Б-08 - Б-014


Работы по развитию ЦКП осуществляются при финансовой поддержке государства в лице Минобрнауки России.

Уникальный идентификатор проекта RFMEFI59414X0007.


Доступ к проведению исследований на оборудовании ЦКП осуществляется на основе договора с одновременным заполнением заявки-заказа:

Типовой договор на оказание услуг

Заявка-заказ на проведение исследований