Перечень исследовательских услуг, оказываемых в центре коллективного пользования
Электронно-микроскопические исследования твердых тел
- Морфология поверхности;
- Размер и форма частиц, в том числе наночастиц; определение элементного состава и структуры, в том числе нанообъектов;
- Определение толщины пленок;
- Исследование межфазных и межзеренных границ;
- Определение монокристалличности; определение сплошности покрытия.
Спектроскопические исследования твердых тел
- Определение фазового состава приповерхностных слоев твердых тел;
- Послойный анализ (распределение примесей по глубине);
- Полуколичественный и качественный элементный анализ поверхности твердых тел;
- Определение химического состояния элементов в приповерхностных слоях твердых тел;
- Определение валентного состояния твердых тел;
- Определение химических связей в приповерхностных слоях твердых тел; определение толщины покрытия;
- Локальный 2D - анализ;
- Получение карты распределения химического состояния элемента;
- Исследование профиля концентраций полимерных, органических, биологических и гибридных наноматериалов;
- Исследование высокоомных диэлектриков.
Используемое оборудование:
Рентгеновский фотоэлектронный спектрометр PHI VersaProbe II 5000
Рентгеноструктурные методы исследования
- Проведение качественного фазового анализа;
- Оценка структурного совершенства кристаллов;
- Анализ текстуры;
- Исследование тонкопленочных (в том числе многослойных) структур;
- Исследование квантово-размерных структур разной размерности (квантовые ямы, квантовые нити, квантовые точки);
- Определение структурных параметров наночастиц в тонких слоях;
- Изучение микродефектов и радиационных повреждений в монрокристаллах;
- Определение шероховатости поверхности и межслойных границ в гетероструктурах;
- Контроль качества обработки поверхности;
- Исследование поведения точечных дефектов в сильно неравновесных полупроводниковых системах (ионно-легированные кристаллы, облученные нейтронами объемные кристаллы).
- Комплексная услуга по исследованию фазового состава и структуры материалов методом рентгеновской дифрактометрии
Используемое оборудование:
Многоцелевой автоматизированный рентгеновский дифрактометр Bede D1 System фирмы «Bede D1 System»
Локальное ионное травление поверхности образцов и ионностимулированное осаждение металлических и диэлектрических покрытий, приготовление образцов для просвечивающей электронной микроскопии
- Подготовка образцов для исследования поперечного сечения методом электронной микроскопии высокого разрешения;
- Подготовка поверхности образцов для исследований методом сканирующей туннельной микроскопии;
- Исследование внутренней приповерхностной структуры при помощи послойного травления образцов.
Используемое оборудование:
Cканирующий ионный микроскоп Strata FIB 205 System фирмы «FEI Company»
Исследования поверхности методами сканирующей зондовой микроскопии
- Исследование поверхности твердых тел;
- Высоковольтная микроскопия пьезоотклика (HV-PFM);
- Исследование пробоя диэлектриков;
- Сканирование в жидкости;
- Сканирование мягких образцов (полимерных пленок, биомолекул и др.);
- Получение топографии и механических свойств поверхности;
- Распределение поверхностного потенциала и работы выхода
- Комплексная услуга по определению глубины травления и шероховатости поверхности кристаллов и тонких пленок
Используемое оборудование:
Сканирующий зондовый микроскоп MFP 3D Stand Аlone (Asylum Research)
Определение тепловых эффектов фазовых переходов, их температуры, а также теплоемкости для широкого спектра конденсированных материалов в температурном интервале от 25 до 1650°С методом дифференциальной сканирующей калориметрии
Используемое оборудование:
Высокотемпературный дифференциальный сканирующий калориметр DSC 404 C Pegasus
Определение теплопроводности (температуропроводности) твердых материалов в интервале температур от 25 до 1100°С методом лазерной вспышки
Используемое оборудование:
Анализатор температуропроводности NETZSCH LFA 457 MicroFlash
Комплексная услуга по прободготовке образцов для исследования методами сканирующей и просвечивающей электронной микроскопии
Используемое оборудование:
Cканирующий ионный микроскоп Strata FIB 205 System фирмы «FEI Company»
Комплексная методика исследования влияния облучения кластерными пучками на химический состав и морфологию поверхности кристаллов ниобата лития
Комплексная методика исследования влияния облучения кластерными пучками на химический состав и морфологию поверхности кристаллов ниобата лития
Используемое оборудование:
Рентгеновский фотоэлектронный спектрометр PHI VersaProbe II 5000
Комплексная методика исследования размеров элементов структуры и состава высокотемпературных оксидных соединений
Комплексная методика исследования размеров элементов структуры и состава высокотемпературных оксидных соединений